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Vishay推出MAACPAK PressFit封裝1200 V SiC MOSFET功率模塊

http://m.henanjusheng.com 2025-12-03 10:59 來源:Vishay

日前,威世科技Vishay Intertechnology宣布,推出兩種新型1200 V MOSFET功率模塊---VS-MPY038P120和VS-MPX075P120,提高汽車、能源、工業(yè)和通信系統(tǒng)中高頻應用的效率和可靠性。Vishay Semiconductors VS-MPY038P120和VS-MPX075P120分別有四顆和六顆MOSFET的模塊,采用薄型MAACPAK PressFit封裝,是先進的碳化硅(SiC)技術(shù)和堅固的傳遞模塑結(jié)構(gòu)的理想組合。

日前發(fā)布的功率模塊集成Vishay新一代SiC MOSFET與用于溫度感測的負溫度系數(shù)(NTC)熱敏電阻,以及具有低反向恢復時間的快速本征SiC二極管,從而降低開關損耗,提高效率,適用于光伏逆變器、電動(EV)和混合電動(HEV)汽車充電器、電機驅(qū)動器、焊機、DC/DC轉(zhuǎn)換器、UPS、暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)、大型電池儲能系統(tǒng)、通信電源等。

為提高可靠性,VS-MPY038P120和VS-MPX075P120采用堅固的傳遞模塑工藝技術(shù),產(chǎn)品生命周期遠超市場上現(xiàn)有的傳統(tǒng)解決方案,同時增強熱阻性能。此外,器件高度低,有助于降低寄生電感和電磁干擾(EMI),節(jié)省空間,實現(xiàn)更高效、更干凈的開關特性。模塊PressFit引腳矩陣排列符合行業(yè)標準布局,便于輕松替換現(xiàn)有設計中的競品解決方案,提高性能。

VS-MPY038P120采用全橋逆變器拓撲結(jié)構(gòu),導通電阻低至38 m,+80 C下連續(xù)漏極電流為35 A, 而VS-MPX075P120則采用三相逆變器拓撲結(jié)構(gòu),導通電阻為75 m,連續(xù)漏極電流為18 A。兩種器件都具有低容值高速開關功能,最高工作結(jié)溫達+175 C。功率模塊符合RoHS標準,無鹵素。

VS-MPX075P120和VS-MPY038P120現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為13周。

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