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華芯微國產(chǎn)汽車芯片MOSFET 驅動器系列(篇一)

http://m.henanjusheng.com 2025-11-18 13:58 來源:中盛新能

一、HRMD2110PMCC 型高低邊MOSFET 驅動器

1.1產(chǎn)品介紹

HRMD2110PMCC 高壓高速功率MOSFET 與IGBT 驅動器采用獨立高低側參考輸出通道設計,搭載專有HVIC 技術及抗閂鎖CMOS 工藝,實現(xiàn)模塊化單片集成。邏輯輸入兼容標準CMOS 或LSTTL 輸出(低至3.3V 邏輯電平),輸出驅動器配備高脈沖電流緩沖級,有效抑制驅動器交叉導通現(xiàn)象。信號傳輸延遲經(jīng)過精密匹配,便于高頻應用。浮置通道支持驅動N 溝道功率MOSFET 或IGBT 的高側配置,工作電壓最高可達600V。

1.2產(chǎn)品特性

·  浮動通道設計用于自舉操作,可運行至+600V

·  柵極驅動供電范圍:10V 至20V

·  兩個通道欠壓鎖定

·  3.3V 邏輯兼容邏輯電源范圍為3.3V 至20V,邏輯和電源接地±5V 偏移

·  CMOS 施密特觸發(fā)器輸入端帶下拉功能

·  逐周期邊沿觸發(fā)關機邏輯

·  兩個信道的匹配傳播延遲

·  輸出與輸入同步

1.3產(chǎn)品典型應用

二、HRD614 型14A 低邊MOSFET 驅動器

2.1產(chǎn)品介紹

HRD_614 型14A 低邊MOSFET 驅動器特別適合驅動最新的MOSFET 和IGBT。每個輸出可以提供14A 的峰值電流,同時產(chǎn)生小于30ns 的電壓上升和下降時間。內部電路消除了跨導通和電流“穿透”,使驅動器在很大程度上免受鎖存的影響。低傳播延遲以及快速的上升和下降時間使HRD_614 系列非常適合高頻和高功率應用。

RDD614 被配置為帶使能的非反相驅動器。HRDN614 被配置為非反相驅動器,而HRDI614 被配置為反相驅動器。HRD_614 系列用在8 引腳塑封表貼SOP 封裝中。

2.2產(chǎn)品特性

·  14A 峰值拉電流/灌電流

·  工作電壓范圍:4V~35V

·  輸入電壓范圍:-5V~VCC

·  低傳播延遲時間

·  10μA 典型供電電流

·  低輸出阻抗

2.3產(chǎn)品真值表

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