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　　11月29日國(guó)際報(bào)道很多廠商都設(shè)計(jì)出了未來(lái)的閃存技術(shù)，但誰(shuí)能夠首先推出產(chǎn)品呢？

　　Spansion表示，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎(chǔ)是電荷捕獲技術(shù)，這一技術(shù)為閃存產(chǎn)業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。

　　SpansionCEO伯特蘭向CNETNews.com表示，Spansion已經(jīng)生產(chǎn)出了采用電荷捕獲技術(shù)的閃存芯片。Spansion已經(jīng)啟動(dòng)了一項(xiàng)營(yíng)銷活動(dòng)，希望向其它制造商許可一些技術(shù)。

　　伯特蘭說(shuō)，三星、東芝、Hynix公開表示對(duì)電荷捕獲技術(shù)有很大的興趣。我們擁有這一技術(shù)的一些基礎(chǔ)性專利，這不是一種很容易就開發(fā)出來(lái)的技術(shù)，我們開發(fā)它已經(jīng)有數(shù)年時(shí)間了。

　　電荷捕獲技術(shù)能夠被應(yīng)用到NOR和NAND閃存芯片中。盡管AMD在2002年就開始生產(chǎn)采用電荷捕獲技術(shù)的芯片，其中許多基礎(chǔ)技術(shù)都來(lái)自以色列的Saifun。

　　如果Spansion能夠在電荷捕獲技術(shù)方面取得成功，這會(huì)大大改進(jìn)其財(cái)務(wù)狀況。第三季度，Spansion銷售收入為6.11億美元，虧損了7200萬(wàn)美元。芯片廠商通常不愿意許可技術(shù)，尤其是來(lái)自競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)。

　　NAND專利有非常高的價(jià)值，因?yàn)橄M(fèi)者電子產(chǎn)品和手機(jī)的需求仍然在不斷增長(zhǎng)。盡管價(jià)格會(huì)有波動(dòng)，但NAND閃存的產(chǎn)量卻每年都在增長(zhǎng)。事實(shí)上，許多制造商現(xiàn)在都在升級(jí)生產(chǎn)線，它們首先考慮的是滿足NAND需求，過(guò)去，許多制造商都在新工廠中生產(chǎn)DRAM或其它芯片。

　　一些NAND芯片廠商在努力使它們的產(chǎn)品打進(jìn)筆記本電腦和刀片服務(wù)器中，取代硬盤。AppliedMaterials的CEO邁克說(shuō)，NAND是一種獲得極大成功的應(yīng)用。[page_break]

　　閃存領(lǐng)域的大多數(shù)官員和科研人員都表示，閃存將面臨摩爾定律式的危機(jī)。簡(jiǎn)而言之就是，如果在架構(gòu)上沒有重大突破，制造商將無(wú)法繼續(xù)縮小芯片。芯片的尺寸不縮小，制造商就無(wú)法降低成本、提高產(chǎn)品性能。

　　ObjectiveAnalysis總裁吉姆表示，當(dāng)存儲(chǔ)單元縮小到一定程度時(shí)，傳統(tǒng)閃存就會(huì)遭遇真正的問(wèn)題。在發(fā)展到45納米或35納米工藝時(shí)，傳統(tǒng)閃存就會(huì)遇到極限。閃存芯片將不再能夠使用相同的材料。

　　45納米工藝的閃存芯片將于未來(lái)1-2年問(wèn)世。其它一些非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)已經(jīng)遭遇了這一問(wèn)題，例如MRAM目前只能縮小到65納米工藝。

　　Spansion面臨的一個(gè)大問(wèn)題是獲得業(yè)界的認(rèn)同。每家廠商在未來(lái)的存儲(chǔ)技術(shù)方面都有自己的想法，但是目前，哪種技術(shù)能夠勝出的前景還很不明朗。相互競(jìng)爭(zhēng)的技術(shù)包括東芝的3D內(nèi)存芯片、Numonyx的相變內(nèi)存芯片、Grandis的STT-RAM。

　　伯特蘭斷言，與上邊列出的技術(shù)相比，電荷捕獲技術(shù)有二個(gè)重要的優(yōu)點(diǎn)。一是人們已經(jīng)掌握了制造采用這種技術(shù)芯片的方法，這會(huì)降低部署這種技術(shù)的風(fēng)險(xiǎn)；其二，實(shí)驗(yàn)室的試驗(yàn)表明，電荷捕獲技術(shù)芯片的尺寸能夠繼續(xù)縮小。

　　他說(shuō)，我們?cè)趯?shí)驗(yàn)室已經(jīng)制造出了采用20納米工藝的芯片。如果能夠縮小芯片尺寸，我們的產(chǎn)品就是最便宜的。芯片的尺寸越小，性能就越高，制造成本也就越低。

　　20納米工藝內(nèi)存芯片要到2012年或晚些時(shí)候才會(huì)上市銷售。

　　伯特蘭表示，與采用相同工藝的其它類型內(nèi)存相比，電荷捕獲內(nèi)存單元的尺寸也更小，這會(huì)進(jìn)一步降低成本。他說(shuō)，電荷捕獲將未來(lái)10年的一項(xiàng)重要技術(shù)。

　　伯特蘭指出，到2016年，相變技術(shù)可能是一項(xiàng)重要的技術(shù)，但這還需要10年時(shí)間。一些相變技術(shù)的支持者表示，相變內(nèi)存芯片可能在未來(lái)數(shù)年問(wèn)世。其實(shí)，早在1970年代，相變技術(shù)內(nèi)存的概念就已經(jīng)被提出來(lái)了。

　　與相變或3D內(nèi)存相比，電荷捕獲技術(shù)更容易部署。一些大公司也表達(dá)了對(duì)電荷捕獲技術(shù)的興趣，但是，是否必須向Spansion支付費(fèi)用還是一個(gè)問(wèn)題。