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    一年一度的慕尼黑上海電子展（electronica&ProductronicaChina）和慕尼黑電子展在上海新國際博覽中心隆重開幕，展會從3月18日持續(xù)到3月20日。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，SEMICON china已經(jīng)成為各地區(qū)了解中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展及全球最新動態(tài)的重要平臺。
　　當(dāng)今最領(lǐng)先的IGBT器件供應(yīng)商，如三菱電機(jī)、塞米控、富士電機(jī)和英飛凌半導(dǎo)體等領(lǐng)先企業(yè)齊聚一堂，為廣大的中國機(jī)電產(chǎn)品設(shè)計師帶來他們開發(fā)的最新IGBT產(chǎn)品。例如，三菱電機(jī)公司將帶來其第五代高性能、小型化、低損耗智能功率模塊(IPM)，它的主要特點有：采用第5代新溝槽型IGBT(絕緣柵雙極晶體管)硅片，絕緣電壓最高達(dá)2500V，其功耗比第一代產(chǎn)品降低70%，體積大大減小，而且低損耗；7單元和6單元緊湊封裝；通過采用新的ASIC控制di/dt減少EMI；在硅片上設(shè)置溫度傳感器，使過溫保護(hù)更精確；制動IGBT的額定電流提高到逆變IGBT的50%；最大輸出電流可達(dá)900A；開關(guān)頻率可高達(dá)20KHz。 
　　三菱電機(jī)率先在IGBT硅片上集成了反向?qū)ǘO管，并成功開發(fā)出反向?qū)≧C-IG 
BT，這可進(jìn)一步減少模塊內(nèi)置硅片數(shù)量和配線數(shù)，以提高產(chǎn)品的性價比。采用散熱優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)使產(chǎn)品的熱阻與以往產(chǎn)品相比減小了約一半（減小45%），散熱特性得到改善。同時，針對去年7月起實行的歐洲RoHS指令，該模塊外部端子的電鍍層采用完全無鉛焊料，模塊內(nèi)部的焊接也是完全無鉛化的，從而實現(xiàn)了模塊整體的無鉛化，完全滿足歐洲的RoHS標(biāo)準(zhǔn)。 
　　英飛凌科技公司將帶來專為牽引驅(qū)動而優(yōu)化的全新IHM/IHV B系列IGBT功率模塊和全新緊湊型PrimePACKTM IGBT模塊系列。借助全新IHM/IHV B系列IGBT功率模塊，用戶可設(shè)計出能夠在嚴(yán)酷的環(huán)境下正常工作，全面滿足大負(fù)荷與溫度循環(huán)要求的高效功率變頻器，如電力機(jī)車、電車的牽引驅(qū)動裝置等。全新模塊擴(kuò)展了英飛凌上一代IHM-A模塊的功能和規(guī)格，實現(xiàn)了熱阻性能的改善和負(fù)荷循環(huán)能力的提高，并將運(yùn)行溫度提高至+150℃。 
　　與同等尺寸的傳統(tǒng)變頻器相比，基于這種全新高功率模塊設(shè)計的變頻器的功率可提高50%。同時，因為IHM/IHV B模塊優(yōu)良的熱性能，運(yùn)用它設(shè)計的變頻器的輸出電流在典型的工況下可以使得輸出電流的能力提高50% ，例如，3,300V模塊的額定電流從1,200A升至1,500A，增幅高達(dá)25%。這種全新模塊的最大運(yùn)行溫度也從先前+125℃上升至+150℃。英飛凌還將這種模塊的最小貯存溫度從先前-40℃降低至-55℃。 
　　IHM/IHV B系列模塊與成熟IHM-A系列產(chǎn)品完全兼容，這能夠讓用戶在不改變產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的情況下，進(jìn)行更新?lián)Q代。除改進(jìn)熱阻性能外，全新B系列模塊還可滿足一些要求非?？量痰膽?yīng)用，如電力機(jī)車或電車的牽引驅(qū)動裝置等對耐用性與可靠性的要求。在啟動與停止階段，這些牽引驅(qū)動裝置的溫度有很大的波動。為了滿足牽引驅(qū)動設(shè)備的性能需求，英飛凌為IHM/IHV B設(shè)計了碳化硅鋁（ALSiC）基板,與氮化鋁襯底結(jié)合使用，可將熱循環(huán)能力提高10倍。對于其他溫度變化幅度較小的應(yīng)用，如工業(yè)傳動、風(fēng)力發(fā)電和電梯等，英飛凌將提供使用銅基板的IHM/IHV B模塊。IHM/IHV B系列模塊的電流能夠做到3,600 A,電壓可達(dá)3,300 V。此外，這些新型模塊符合RoHS要求，并滿足NFF16-101和16-102的防火要求。 
　　全新緊湊型PrimePACKTM IGBT模塊系列則可為各種工業(yè)傳動裝置以及風(fēng)力發(fā)電、電梯以及其它傳動設(shè)備、電力機(jī)車用電源及供暖系統(tǒng)傳動裝置，提供優(yōu)化型功率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)解決方案。在這種基于創(chuàng)新型封裝概念的全新PrimePACKTM模塊中，IGBT芯片距基板緊固點更近，降低了基板與散熱器之間的熱阻。基于這些特點，與傳統(tǒng)模塊相比，能夠使內(nèi)部雜散電感降低60%左右。減少雜散電感對于消除尖峰過電壓是非常重要的。獨特的布局大大改善了熱分布，實現(xiàn)了整個模塊系統(tǒng)的低熱阻性能。最高運(yùn)行溫度從+125℃提高到+150℃，大大超出了先前模塊。英飛凌還將這種模塊的最小貯存溫度從先前-40℃降低至-55℃。這一面向功率變換器應(yīng)用的全新IGBT模塊，還能在相同阻斷電壓或模塊尺寸的條件下，使額定電流上升20%左右，或者在以相對較小的體積實現(xiàn)相同的功率損耗。 
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　　目前，英飛凌已經(jīng)推出了1,200V和1,700V兩個電壓級別的PrimePACKTM模塊，每個模塊都有兩種尺寸規(guī)格：89mm×172mm和89mm×250mm。 
　　不過，由于IGBT器件在高速開關(guān)過程中容易引起電壓和電流過沖問題，從而影響到逆變器的工作效率和工作可靠性，而且由于IGBT能承受的過流時間僅為幾微秒，與SCR和GTR(幾十微秒)等器件相比要小得多，因而對過流保護(hù)的要求就非常高。不過，你大可不必為此擔(dān)心，因為你可在泰科電子的展臺上找到你所需的各種自恢復(fù)電路保護(hù)解決方案，泰科電子瑞侃電路保護(hù)部可為你提供包括過流、過壓、過熱乃至靜電防護(hù)在內(nèi)的所有自恢復(fù)電路保護(hù)解決方案，從而為各種IGBT應(yīng)用的各種安全認(rèn)證提供了必要的保證。 
　　例如，最近瑞侃電路保護(hù)部推出的2Pro器件系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品集成了過電流/過電壓電路保護(hù)技術(shù)，擁有可復(fù)位和協(xié)同保護(hù)的功能。這一符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的2Pro系列器件將PolySwitch PPTC(聚合物正溫度系數(shù)熱敏電阻)過電流保護(hù)技術(shù)與MOV(金屬氧化物壓敏電阻)器件結(jié)合起來，使之成為一種創(chuàng)新的保護(hù)器件，有利于在過電流事故中抑制電流以及在過電壓事故中對電壓進(jìn)行箝位。這種由單一器件實現(xiàn)協(xié)同電路保護(hù)的方式，減少了部件的數(shù)量和提高了設(shè)備的可靠性。 
　　2Pro型器件能夠幫助設(shè)備生產(chǎn)廠商達(dá)到UL 60950標(biāo)準(zhǔn)的要求，幷能夠使設(shè)備在經(jīng)過特定的雷擊試驗后如常運(yùn)行。它還有助于讓設(shè)備滿足TIA-968-A、IEC 60950和ITU-T K.20/K.21標(biāo)準(zhǔn)下的浪涌測試要求。這款已經(jīng)列 入UL 497A規(guī)范的保護(hù)器件還有助于提供ESD靜電保護(hù)功能。