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    從2000年到2007年，我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展表現(xiàn)出規(guī)模高速增長、技術(shù)水平快速提升的特點，銷售收入年均增長速度超過30%。從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)來看，設計和制造技術(shù)從0.35微米提高到90納米，躍升了四代，65納米開始導入生產(chǎn)，中芯國際與IBM在45納米技術(shù)上開展合作，F(xiàn)BP（平面凸點式封裝）和MCP（多芯片封裝）等先進封裝技術(shù)開發(fā)成功并投入生產(chǎn)，自主開發(fā)的8英寸100納米等離子刻蝕機和大角度離子注入機、12英寸硅片已進入生產(chǎn)線使用。  
   2007年在國內(nèi)電子信息整機制造業(yè)增長趨緩的市場環(huán)境下，中國的集成電路產(chǎn)業(yè)的增長速度為18%，產(chǎn)業(yè)銷售額在2006年首次突破1000億元的基礎上繼續(xù)較快增長，規(guī)模達到1251.3億元。  
   雖然與前幾年相比，我國集成電路產(chǎn)業(yè)的增長速度有所回落，但從全球范圍來看，仍然是最受關(guān)注和增長最快的地區(qū)。自2002年以來，全球半導體產(chǎn)業(yè)開始步入一個平穩(wěn)增長的周期，到2006年，全球半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模為2477億美元，2000年到2006年6年間，其年均增幅僅為3.9%。2007年，繼續(xù)承接之前的走勢，產(chǎn)業(yè)規(guī)模增長3.8%左右。