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    全世界大概有600個(gè)IC芯片制造廠，具體分布如下：中國(guó)有40多個(gè)，美國(guó)158個(gè)，歐洲89個(gè)，日本最多，有182個(gè)。日本半導(dǎo)體業(yè)還是很扎實(shí)，盡管表面上看似困難重重，幾次機(jī)構(gòu)重組，感覺(jué)總是找不到正確的方向，但它的基礎(chǔ)還是相當(dāng)強(qiáng)大。韓國(guó)剛剛起步有35個(gè)，新加坡有19個(gè)，我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)有47個(gè)。 
   未來(lái)半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步的推動(dòng)力，首先肯定是要把更多的功能和更低的功耗結(jié)合在一起，其次就是降低制造成本。 
   現(xiàn)在來(lái)看先進(jìn)制程的研發(fā)費(fèi)用高聳，是導(dǎo)致全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈加快轉(zhuǎn)移的主要原因。一方面在摩爾定律的驅(qū)使下，不斷地邁向先進(jìn)制程，如65納米，45納米，甚至于32納米制程；但是另一方面由于先進(jìn)制程的費(fèi)用太高，又使許多公司望而卻步。每個(gè)公司都會(huì)依據(jù)自身的能力與條件作出抉擇。如依45納米、32納米制程為例、建一個(gè)45納米芯片廠需要30億美元，要完成45納米的工藝研發(fā)需要24億美元，而32納米制程時(shí)需要花費(fèi)30億美元。設(shè)計(jì)一個(gè)45納米的產(chǎn)品要化費(fèi)2000～5000萬(wàn)美元。因此業(yè)界分析，如果銷售額達(dá)不到100億美元的公司，無(wú)力承擔(dān)。而全世界現(xiàn)在超過(guò)100億美元銷售額的只有英特爾、三星、東芝等數(shù)家。所以連IDM大廠，如TI、Freescale、NXP等紛紛轉(zhuǎn)向輕晶園策略，并公開(kāi)表明32納米制程之后將與臺(tái)積電合作。 
   先進(jìn)制程的研發(fā)及生產(chǎn)費(fèi)用太高，許多公司為了生存不得不轉(zhuǎn)向共同合作，在市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)條件下本來(lái)是很難理解的。如目前全球有五大家存儲(chǔ)器制造商擁有專門(mén)的獨(dú)立技術(shù)，三星是老大，奉行獨(dú)行俠策略，不愿跟人合作，怕技術(shù)被人拿去了；東芝幾乎也是獨(dú)立的；美國(guó)的Micron，跟英特爾合作。韓國(guó)的Hynix跟STM及臺(tái)灣的ProMOS合作。日本爾必達(dá)與力晶合作。全球存儲(chǔ)器的五個(gè)大家，兩個(gè)分布在韓國(guó)、一個(gè)在美國(guó)、一個(gè)在歐洲、一個(gè)在日本，現(xiàn)在韓國(guó)處于絕對(duì)領(lǐng)先地位。臺(tái)灣地區(qū)在存儲(chǔ)器上，雖然這兩年的投資量相當(dāng)大，有四個(gè)主力存儲(chǔ)器廠。但是由于沒(méi)有自己的技術(shù)，一個(gè)品牌也沒(méi)有，只能與別人合作掙點(diǎn)小錢(qián)。業(yè)界預(yù)測(cè)目前盡管存儲(chǔ)器的價(jià)格已跌至成本以下，表面上看是壞事，也可能是好事。因?yàn)槭袌?chǎng)就是如此殘酷，逼迫五大家中有公司會(huì)提前退出。 
   未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新一輪的轉(zhuǎn)移，可以預(yù)期原來(lái)的IDM公司一定會(huì)紛紛轉(zhuǎn)向輕晶圓策略（fablite），尋求與代工合作，直至最終變成IC設(shè)計(jì)公司。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的轉(zhuǎn)移遵循一條價(jià)值規(guī)律，向賺錢(qián)越多的地方轉(zhuǎn)移。全球存儲(chǔ)器會(huì)走超級(jí)大廠特大晶圓（Superfab）道路，一定會(huì)優(yōu)先采用最先進(jìn)的工藝技術(shù)。如全球存儲(chǔ)器中，由于12英寸的性價(jià)比已經(jīng)超過(guò)8英寸，因此全球43個(gè)8英寸廠，估計(jì)在未來(lái)3至4年中會(huì)以每年25％左右的速度逐步退出。 
   無(wú)錫的海力士其8英寸生產(chǎn)線才運(yùn)行一年多，就賣給了華潤(rùn)。 
   未來(lái)2008年到2010年全球主要的IC市場(chǎng)在哪里？據(jù)業(yè)界預(yù)測(cè)，未來(lái)全球半導(dǎo)體業(yè)可能將是CPU，Memory、和Foundry加Fabless三足鼎立態(tài)勢(shì)。DRAM，年成長(zhǎng)率大概為1.5%，F(xiàn)lash閃存為20%，MPU為8.1%，MOSLogic為7.4%，以及光電IC是7.0%。 
   相信全球半導(dǎo)體業(yè)的前景仍然美好，半導(dǎo)體工業(yè)主要受技術(shù)推動(dòng)，投資巨大、設(shè)備固化了技術(shù)。