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英特爾大連廠2009年投產(chǎn)
http://m.henanjusheng.com 2008-06-17 11:34 來源：半導(dǎo)體國際
近日在大連召開的第六屆中國半導(dǎo)體封裝測試技術(shù)與市場研討會上，英特爾（大連）有限公司總經(jīng)理代表張仲民透露，目前英特爾大連芯片廠土建工程已經(jīng)基本完成，正快速進入機械、電力和管道安裝階段。總投資25億美元的英特爾大連芯片廠，在2007年9月動工興建，計劃在2010年夏季投產(chǎn)。按照目前施工進度，很有可能在2009年就具備試生產(chǎn)能力。
談到封裝技術(shù)發(fā)展趨勢，張仲民表示，英特爾已經(jīng)將芯片的封裝從微米級帶入到納米級。納米級的封裝工藝更加需要新型的封裝材料的應(yīng)用，同時疊層封裝，細間距互聯(lián)以及嵌入被動元件將是未來發(fā)展的方向，以滿足市場對體積更小、速度更快、可靠性更高的電子產(chǎn)品的需求。
談到封裝技術(shù)發(fā)展趨勢，張仲民表示，英特爾已經(jīng)將芯片的封裝從微米級帶入到納米級。納米級的封裝工藝更加需要新型的封裝材料的應(yīng)用，同時疊層封裝，細間距互聯(lián)以及嵌入被動元件將是未來發(fā)展的方向，以滿足市場對體積更小、速度更快、可靠性更高的電子產(chǎn)品的需求。
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