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東芝發(fā)布新型24納米嵌入式NAND閃存

http://m.henanjusheng.com 2011-04-06 11:31 來源:東芝集團

  東芝日前發(fā)布基于24納米工藝的“SmartNAND”系列產(chǎn)品。通過此產(chǎn)品,東芝將進一步擴大其NAND閃存的產(chǎn)品線。“SmartNAND”在NAND封裝中集成錯誤管理系統(tǒng)。全新芯片可以簡化系統(tǒng)端的設計,并且可以將先進工藝的NAND應用于消費電子產(chǎn)品中,包括數(shù)字音頻播放器、平板電腦、信息設備、數(shù)字電視、機頂盒和其他需要大容量非易失性存儲器的應用。

  全新SmartNAND產(chǎn)品系列的樣品將于四月中旬面市,將于2011年第二季度(四月至六月)正式開始量產(chǎn)。

  SmartNAND產(chǎn)品系列將前沿的24納米工藝NAND閃存與支持糾錯碼(ECC)的控制芯片有機整合。最新的產(chǎn)品線包含4至64千兆字節(jié)(GB)的五種容量,尤其旨在實現(xiàn)協(xié)議變更最小化的同時減輕系統(tǒng)端在處理ECC時的負擔。SmartNAND產(chǎn)品家族主要針對便攜式媒體播放器、平板電腦和其它消費數(shù)字產(chǎn)品。

  全新2納米產(chǎn)品系列將取代當前的32納米產(chǎn)品,其先進工藝結合了處理速度更快的控制器和內(nèi)部接口,從而能實現(xiàn)更快的讀寫速度,提高整體性能。SmartNAND也支持一系列讀寫速度,以適應不同的設計目標,新的產(chǎn)品將提供四種讀取模式和兩種寫入模式。

  新產(chǎn)品繼續(xù)使用傳統(tǒng)NAND接口,并包括一系列針對大容量和高性能應用所優(yōu)化的全新功能。管理比特錯誤對于數(shù)字產(chǎn)品維持可接受性能和可靠性而言至關重要。將錯誤管理系統(tǒng)與NAND閃存集成在同一封裝中,有利于東芝客戶利用大容量,且具有卓越錯誤管理性能的先進閃存解決方案。

  目前市場對于支持高分辨率視頻和增強型存儲的大容量存儲芯片,特別是包含控制器功能的嵌入式存儲器的需求不斷增長。包含控制器功能的嵌入式存儲器能最大程度地降低開發(fā)要求,降低集成至系統(tǒng)設計中的難度。東芝已成為此關鍵領域中的領頭羊。現(xiàn)在通過進一步升級SmartNAND,東芝將鞏固其領先地位。

  主要特點

  1.集成糾錯(ECC)和前沿的24納米工藝能提高速度性能,使得讀取速度和寫入速度較當前產(chǎn)品分別快1.9倍和1.5倍。

  2.東芝的SmartNAND提供一系列讀寫速度以優(yōu)化速度性能;將提供四種讀取速度及兩種寫入速度。為滿足低功耗要求,我們也提供省電模式。

  3.東芝的SmartNAND使用標準的NAND接口,可應用于現(xiàn)有的主控制器,必要時只需簡單的驅動軟件支持。所有這些能簡化系統(tǒng)開發(fā),從而確保廠商節(jié)約開發(fā)成本,縮短新產(chǎn)品和升級產(chǎn)品投入市場的時間。

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