一． 技術(shù)參數(shù)
1. 最大限值
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最小 |
典型 |
最大 |
單位 |
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熱功率P（Rm1+Rm2）： |
— |
— |
30 |
mW |
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測量溫度Tm |
— |
— |
180 |
°C |
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環(huán)境溫度 |
-20 |
— |
+85 |
°C |
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氣體壓力（1） |
— |
— |
200 |
bar |
注：由于膜的熱時間常數(shù)短，短時間的加過高的熱功率會毀壞傳感器。
2. 技術(shù)參數(shù)
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最小 |
典型 |
最大 |
單位 |
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電阻，Rm1，Rm2（Tm=25°C） |
92 |
100 |
115 |
? |
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電阻，Rt1，Rt2 |
220 |
240 |
275 |
? |
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商，Rtx / （ Rm1+Rm2 ），x∈{1,2} |
1.13 |
1.2 |
1.27 |
1 |
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阻抗差，Rm1 - Rm2 |
-2.0 |
— |
+2.0 |
? |
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α=溫度系數(shù)，（ Rm, Rt ） | 20 - 100°C |
4.8（2） |
5.5 |
5.9 |
10-3·K-1 |
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G =幾何系數(shù)（3） |
— |
3.6 |
— |
mm |
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τm =膜的熱時間常數(shù) |
— |
<5 |
— |
ms |
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τdiffusion =氣體交換的時間常數(shù) |
— |
<100 |
— |
ms |
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漂移（ Rxy ） | x∈{m,t} ; y∈{1,2} |
— |
0.001 |
0.01 |
%/week |
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散射結(jié)構(gòu)的體積 |
— |
0.2 |
— |
mm3 |
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保持干凈的周圍環(huán)境空間大小 |
— |
100 |
— |
mm3 |
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基礎(chǔ)材料 |
硅,采用蝕刻技術(shù)獲得微觀結(jié)構(gòu) |
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尺寸結(jié)構(gòu): 包括底座
不包括底座 |
3mm × 3mm × 1mm |
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13mm Ø × 15.4mm |
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暴露在空氣中的材料 |
Si, SiOxNy, 金, 環(huán)氧材料 |
注釋: （1） 根據(jù)供應(yīng)商的說明書對于適當(dāng)?shù)脑O(shè)備提供的壓力參數(shù)
（2） α的最小值只適用于與低規(guī)格電壓輔助源結(jié)合的情況. 產(chǎn)品會不斷的改良使它更接近于DIN 43760的規(guī)格.
（3） 因數(shù)G是由內(nèi)部的傳感器的機構(gòu)決定的.
