文 Claude Gudel, LEM SA 瑞士
磁共振成像（MRI）的發(fā)展提升了診斷能力，接著，增加了細胞水平治療身體疾病數(shù)，最明顯的可能就是癌癥。作為一種診斷方法，MRI繼續(xù)發(fā)展，但是一段時間以來，這種發(fā)展已與基礎技術的發(fā)展同步，尤其是圖像采集技術。
雖然MRI掃描技術自20世紀70年代初以來不斷進步，但其首次應用卻始于40年代中期。在這個時間前后，有兩個獨立的研究小組，它們分別屬于哈佛大學和斯坦福大學，他們都發(fā)現(xiàn)了后來眾所周知的核磁共振現(xiàn)象。不久以后，畢業(yè)于英國牛津大學的Bernard Rollin博士，組裝了很可能是最早的NMR光譜儀實例。到50年代初該發(fā)現(xiàn)得到進一步發(fā)展，出現(xiàn)了高分辨率的NMR光譜儀，這時在化學和生化領域，它被認為是一種潛在有用的工具。通過努力提高成像分辨率終于打開了它在診斷醫(yī)學領域的應用大門，MRI掃描開始平行于NMR獨自發(fā)展。
它已經(jīng)脫離了一個足以躺下一名患者的平臺的傳統(tǒng)形象，而在不知不覺中演變成一個更大的、圓形的機器，就像一個巨大的感應器，這時看不出MRI掃描是如何開展的。
NMR/MRI 光譜儀的一個關鍵原理是檢測軟組織內(nèi)細胞運動所產(chǎn)生的微弱磁場。這種運動是細胞在移位后的有效重排。而移位是由細胞接觸更強磁場所致。細胞自身的重排速度取決于其結構和狀態(tài)，而檢測出它們產(chǎn)生的非常微弱的磁場所采用的分辨率決定了機器的總體分辨率。
磁場產(chǎn)生的細胞激發(fā)水平是決定MRI掃描儀功效的關鍵要素，所以控制磁場與檢測所產(chǎn)生的細胞重排一樣關鍵�，F(xiàn)在有許多公司研制MRI掃描儀，其中很多都是家喻戶曉的知名企業(yè)，不過有趣的是，它們主要依賴其他公司的專家團隊開發(fā)和提供這些儀器上的配套傳感器解決方案。
LEM就是其中的一家，它是創(chuàng)新高品質(zhì)的電量參數(shù)測量解決方案領先提供商。由于MRI掃描儀的應用非常廣泛，越來越迫切地需要提高它們的分辨率。這只能通過精細準確的磁場調(diào)節(jié)來實現(xiàn)，而這反過來又在極大程度上取決于測量和控制用來產(chǎn)生磁場的電流的能力。
一段時間以來，這個領域采用的技術基于霍爾效應電流傳感器，但是現(xiàn)在這項技術在這個領域內(nèi)存在明顯不足，尤其是精度方面。LEM受該領域一家客戶所托研發(fā)所需的一種新型電流傳感器，為其改善現(xiàn)有性能，提供更高精度。LEM花了近7個月時間改良現(xiàn)有技術使其符合這家客戶要求，最終研發(fā)成功的這款電流傳感器是當前市面上性能最高的。
LEM研發(fā)的解決方案是一種雙軸磁通門閉環(huán)傳感器，即知名的HPCT，將其工作原理與應用更普遍的霍爾效應技術相比，這種可能更有用。
霍爾效應于1879年由美國物理學家Edwin Herbert Hall 發(fā)現(xiàn)，那時他就讀于位于巴爾的摩的John Hopkins 大學�；魻栃蓪Υ┻^磁通密度的運動電荷起作用的洛倫茲力產(chǎn)生，F(xiàn)=q.（VXB）。向磁場中非常薄的半導體箔片施加一個控制電流。控制電流的運動載流子在外磁通密度B產(chǎn)生的洛倫茲力的作用下發(fā)生垂直于電流方向的偏移。這種偏移導致更多的載流子在導體的一端聚集，從而在導體兩端形成一個電勢差，這就是霍爾電壓。
霍爾效應的某些元素與溫度相關，尤其是霍爾元件的霍爾系數(shù)以及失調(diào)電壓。因此，任何采用霍爾效應的電流傳感器都必須提供溫度補償。
霍爾效應最簡單實用的應用是開環(huán)傳感器，它提供了體積最小、質(zhì)量最輕、成本最低的電流測量解決方案，同時功耗也非常低。
如圖1 [ 標題：開環(huán)霍爾效應傳感器工作原理 ] 所示，這種傳感器由一個用于產(chǎn)生磁場的載流導體組成。磁場用一個開有氣隙的磁芯聚磁。氣隙內(nèi)的一個霍爾元件用于感應磁通密度。采用控制電流和差分放大，其組件通常集成在傳感器內(nèi)。在用于產(chǎn)生磁路的材料的磁滯回線（B-H loop）的線性區(qū)內(nèi)，磁通密度B始終與初級電流Ip 成正比，霍爾電壓VH 與磁通密度B成正比。 因此，霍爾元件的輸出與初級電流及失調(diào)霍爾電壓Vo 成正比。
圖1
開環(huán)傳感器可以測量直流、交流和復雜電流波形，同時還提供電流隔離。正如上文提及的，其優(yōu)點是成本低、體積小、功耗低。同時，它們在測量大電流（>300A）方面尤其有優(yōu)勢。不過，開環(huán)傳感器有一定局限性，例如磁路中的磁損耗導致的響應時間長及帶寬不足、與溫度相關的增益漂移相對較大。
相比之下，閉環(huán)傳感器，也叫霍爾效應補償式或“零磁通式”傳感器，它利用霍爾元件電壓在次級線圈中產(chǎn)生一個補償電流，從而使總磁通量等于零（圖 2 [ 標題：閉環(huán)霍爾效應電流傳感器工作原理 ] ） 。換而言之，次級電流Is 產(chǎn)生的磁通量與初級電流產(chǎn)生的磁通量完全相同，不過方向相反。
圖2
在零磁通條件下運行霍爾元件消除隨溫度變化的增益漂移，此外，這種結構還具備一個好處，就是次級繞組在較高頻率下起電流變壓器的作用，這樣就顯著擴大了帶寬并縮短了傳感器的響應時間。
當磁通量等于零時，磁勢（安培匝數(shù)）等于零，相應的，次級電流Is是初級電流Ip 的精確映射。閉環(huán)傳感器的優(yōu)點包括非常高的精度和良好的線性度，快速響應時間，主要不足是次級電源電流消耗大，因為它必須提供補償電流和偏置電流。
在技術規(guī)格要求更嚴格的特定應用場合，例如超低非線性誤差、低噪或非常低的與溫度相關的失調(diào)漂移等，這時霍爾效應電流傳感器不再適用。為了滿足這些要求，LEM研發(fā)了雙軸磁通門閉環(huán)傳感器（HPCT），它可以提供精度和穩(wěn)定性均非常高的直流和交流電流測量，同時消除初級端注入的噪聲。
圖3[ 標題： HPCT 傳感器工作原理 ] 詳細說明了其工作原理。該傳感器包括一個由三個磁芯（C1 、C2 和C3 ,）以及初級繞組（Wp1 ）和次級繞組（Ws1 - Ws4 ）組成的電流測量頭，如圖所示。通過將次級電流Ic 注入次級繞組Ws2 中實現(xiàn)閉環(huán)補償。Ws2 后半段線圈與3個磁芯進行磁耦合，并與測量電阻Rm 串聯(lián)，從而產(chǎn)生一個輸出電壓。
對于較高頻率范圍，次級電流由兩個次級線圈（Ws1 和Ws2 ）之間產(chǎn)生的變壓器效應產(chǎn)生。對于較低頻率范圍（包括直流），傳感器起閉環(huán)磁通門傳感器的作用，此時繞組Ws3 和 Ws4 用作磁通門感應線圈。
圖3
由于磁通門技術已經(jīng)普及了一段時間，所以LEM可以采用這種技術并加以改良。最終研發(fā)的傳感器精度非常高，溫度失調(diào)漂移非常低，時間穩(wěn)定性非常高。優(yōu)秀的線性度、超低的輸出噪聲提高了HPCT的精度和分辨率，而超大測量帶寬（直流到200kHz，-3dB）確保了該傳感器廣泛的應用領域。
事實上，除了用于精確控制醫(yī)學成像系統(tǒng)的梯度放大器上電流以外，HPCT同樣適用于其他需要高精度測量的場合，如精確電流調(diào)節(jié)電源內(nèi)的反饋測量、試驗臺電源分析校準設備以及實驗室與計量儀器的電流測量。
目前，該類傳感器的工作溫度范圍相對狹窄（一般為+10°C 至 +50°C）。不過LEM確信以后會證明，這項用于發(fā)展HPCT傳感器的技術對MRI掃描前景的意義與霍爾效應傳感器對它的推出的意義一樣重大，同時還會進一步拓展到許多至今尚未預料到的應用領域。
